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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0508981 (1990-04-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 3 |
Method for rapidly growing silicon carbide whiskers having high aspect ratios comprising heating a carbon substrate to between about 1600°C. and 1800°C. and thereat contacting the substrate with a reactive atmosphere consisting essentially of gaseous species of silicon, carbon, nitrogen, sulfur and
A method for growing silicon carbide whiskers on a carbon substrate comprising the steps of heating said substrate to a temperature of at least about 1600°C. and less than about 1800°C. and contacting said heated substrate with a similarly heated reactive atmosphere consisting essentially of gaseous
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