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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0607340 (1990-10-31) |
우선권정보 | JP-0057422 (1988-03-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 2 |
There are disclosed a structure and a manufacturing method of a MOS-type thin-film field effect transistor composed of a substrate having an insulating main surface, a gate electrode formed on the insulating main surface to have an upper surface and a side surface at its edge, an insulating film cov
A method for manufacturing a MOS-type field effect transistor comprising steps of forming a gate electrode on an insulating main surface of a substrate; forming an insulating film on at least upper and side surfaces of said gate electrode; forming a semiconductor film having continuous first, second
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