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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0433690 (1989-11-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 84 인용 특허 : 0 |
A method of depositing thin films of silicon based compounds, particularly silicon dioxide, by cathode reactive sputtering utilizes a rotating cylindrical magnetron driven by a d.c. potential. The result is a technique of forming a uniform film on large substrates with high deposition rates. Arcing
A method of depositing a thin film of silicon based compound on a substrate within an evacuated chamber, said method comprising the steps of: (a) providing an elongated, cylindrical tubular member carrying a silicon sputtering material on an outer surface thereof; (b) establishing within said tubula
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