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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0588629 (1990-09-25) |
우선권정보 | JP-0252072 (1989-09-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 0 |
A semiconductor memory device includes at least one memory cell having first and second nodes, a pair of bit lines coupled to the memory cell, a first power line which is coupled to the memory cell for supplying a first power source voltage, and a second power line which is coupled to the memory cel
A semiconductor memory device comprising: a plurality of memory cells each having first and second nodes and divided into a plurality of groups, each of said groups including a predetermined number of said memory cells; a pair of main bit lines coupled to said memory cells; a plurality of first powe
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