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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0348371 (1989-05-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 179 인용 특허 : 0 |
A high efficiency back side contact solar cell is fabricated using a self-aligning process that reduces the number of masks and alignments as compared with prior processes. The back surface of the cell is patterned by etching into an array of bilevel, interdigitated mesas and trenches, separated by
A solar cell, comprising: a body of a semiconductor material having at least one P/N junction therein, the body including a front face having no electrodes thereon, and a bilevel elevation back face having at least one P-doped region at a first level interdigitated with at least one N-doped region a
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