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Semiconductor integrated circuit device 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-023/48
  • H01L-029/46
  • H01L-029/54
  • H01L-029/62
출원번호 US-0577093 (1990-08-31)
우선권정보 JP-0181459 (1987-07-21)
발명자 / 주소
  • Tsuneoka Masatoshi (Ohme JPX) Horiuchi Mitsuaki (Hachioji JPX)
출원인 / 주소
  • Hitachi, Ltd. (Tokyo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 26  인용 특허 : 0

초록

In a semiconductor integrated circuit device having copper wiring, the copper wiring is covered with impurity diffusion-preventing films each of which is made of a silicon oxide film formed by plasma CVD, a silicon nitride film, an alumina film, or a titanium nitride film, whereby the resistance of

대표청구항

A semiconductor integrated circuit device comprising: a first layer, comprising polycrystalline silicon and having impurity contained therein, on a semiconductor substrate; a second layer on said first layer; and a third layer consisting essentially of copper on said second layer, whereby said secon

이 특허를 인용한 특허 (26)

  1. Gardner Donald S. (Mountain View CA), Barrier against metal diffusion.
  2. Wollesen Donald L. (Saratoga CA), High conductivity interconnection line.
  3. Efland Taylor R. ; Cotton Dave ; Skelton Dale J., Ldmos transistor with thick copper interconnect.
  4. Gardner Donald S., Metal alloy interconnections for integrated circuits.
  5. Gardner Donald S., Metal-alloy interconnections for integrated circuits.
  6. Gardner Donald S., Metal-alloy interconnections for integrated circuits.
  7. Taylor R. Efland ; Dave Cotton ; Dale J. Skelton, Method for LDMOS transistor with thick copper interconnect.
  8. Gardner Donald S., Method of fabricating a barrier against metal diffusion.
  9. Chen Fusen E. (Dallas TX) Liou Fu-Tai (Carrollton TX) Dixit Girish A. (Dallas TX), Method of forming vias.
  10. Efland Taylor R. ; Cotton David ; Skelton Dale J., Method of making a multiple transistor integrated circuit with thick copper interconnect.
  11. Liu Chung-Shi,TWX ; Yu Chen-Hua,TWX, Method of preparing passivated copper line and device manufactured thereby.
  12. Chen-Hua Yu TW; Mong-Song Liang TW, Method to form copper interconnects.
  13. Efland Taylor R. ; Cotton David ; Skelton Dale J., Multiple transistor integrated circuit with thick copper interconnect.
  14. Efland Taylor R. ; Skelton Dale J. ; Mai Quang X. ; Williams Charles E., Plastic encapsulation for integrated circuits having plated copper top surface level interconnect.
  15. Efland Taylor R. ; Skelton Dale J. ; Mai Quang X. ; Williams Charles E., Plastic encapsulation for integrated circuits having plated copper top surface level interconnect.
  16. Chun Chan ; Bo Shen, Power mesh bridge.
  17. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  18. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  19. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  20. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  21. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  22. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  23. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  24. Lin,Mou Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  25. Lin,Mou Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  26. Howell, Wayne John; Mendelson, Ronald Lee; Motsiff, William Thomas; Quintal, Jean-Guy; Ouimet, Sylvain, Wirebond passivation pad connection using heated capillary.
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