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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0577093 (1990-08-31) |
우선권정보 | JP-0181459 (1987-07-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 26 인용 특허 : 0 |
In a semiconductor integrated circuit device having copper wiring, the copper wiring is covered with impurity diffusion-preventing films each of which is made of a silicon oxide film formed by plasma CVD, a silicon nitride film, an alumina film, or a titanium nitride film, whereby the resistance of
A semiconductor integrated circuit device comprising: a first layer, comprising polycrystalline silicon and having impurity contained therein, on a semiconductor substrate; a second layer on said first layer; and a third layer consisting essentially of copper on said second layer, whereby said secon
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