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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0210517 (1988-06-10) |
우선권정보 | DE-3633161 (1986-09-30) |
국제출원번호 | PCT/EP87/00544 (1987-09-25) |
§371/§102 date | 19880610 (19880610) |
국제공개번호 | WO-8802555 (1988-04-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 0 |
A semiconductor element having a p-zone on the anode side and an adjacent weakly doped n-zone which forms a blocking pn-junction with the p-zone, particularly a fast rectifier diode and a fast thyristor. To realize improved recovery behavior during commutation and good forward conduction and blockin
Semiconductor component having a weakly doped continuous interior p-zone which is provided on its surface with an ohmic contact layer, a weakly doped n-base zone adjacent to said weakly doped p-zone, a highly doped n+-zone arranged adjacent to said n-base zone, and a plurality of p+-surface zones ar
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