[특허]Semiconductor device having two-layered passivation film

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-029/34
출원번호	US-0269434 (1988-11-09)
우선권정보	JP-0284860 (1987-11-11); JP-0028172 (1988-02-09)
발명자 / 주소	Ishii Kazutoshi (Tokyo JPX)
출원인 / 주소	Seiko Instruments Inc. (JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 27 인용 특허 : 0

초록 ▼

A passivation film of MOS semiconductor device is composed of a first passivation layer and a second passivation layer formed on the first passivation layer. The first passivation layer comprises silicon dioxide containing phosphorus in 0.5 percent or less and having a film thickness of 1500 Åor mor

대표청구항 ▼

A MOS semiconductor device comprising: a semiconductor substrate of a first conductivity type; source and drain regions of a second conductivity type formed on a surface of the semiconductor substrate and spaced apart from each other; a gate electrode formed on a surface portion of the semiconductor substrate between the source and drain regions through a gate insulator film; an internal insulator film at least over the gate electrode; and a passivation film at least over the internal insulator film, the passivation film being comprised of a first passivation layer and a second passivation layer formed on the first passivation layer, the first passivation layer being composed of silicon dioxide and containing not more than 0.5 percent phosphorous by atomic weight, and the second passivation layer being composed of silicon oxynitride or silicon nitride.

이 특허를 인용한 특허 (27)

Shuto Susumu,JPX ; Tanaka Miwa,JPX ; Sonoda Masahisa,JPX ; Idaka Toshiaki,JPX ; Sasaki Kenichi,JPX ; Mori Seiichi,JPX, Anneal technique for reducing amount of electronic trap in gate oxide film of transistor.
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Mehta Sunil D. ; Barsan Radu, Annealing of silicon oxynitride and silicon nitride films to eliminate high temperature charge loss.
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Marshall, Angela L.; Doyle, Ross; McCall, Glenn R.; Pointer, Ed J.; Rau, Brien G.; Scates, Dennis K., Conveyor transfer system with floating transfer platform.
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Jung Byung-Hoo (Seoul KRX), Method for manufacturing semiconductor device for enhancing hydrogenation effect.
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James Gardner Ryan ; Alexander Mitwalsky ; Katsuya Okumura, Planarized final passivation for semiconductor devices.
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Yoo Chue-San,TWX ; Lee Jin-Yuan,TWX, Protective film for fuse window passivation for semiconductor integrated circuit applications.
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Hideki Uochi JP, Semiconductor device comprising thin film transistors having a passivation film formed thereon.
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Arita Koji (Osaka JPX) Fujii Eiji (Ibaraki JPX) Shimada Yasuhiro (Mishima-gun JPX) Uemoto Yasuhiro (Otsu JPX) Nasu Toru (Kyoto JPX) Matsuda Akihiro (Suita JPX) Nagano Yoshihisa (Suita JPX) Inoue Atsu, Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof.
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A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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