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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0580928 (1990-09-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 73 인용 특허 : 0 |
A method and apparatus for stripping a photoresist layer from a semiconductor wafer, wherein oxidizing gas is fed from the edge of the wafer to the center. The oxidizing gas may be directed so that it is incident on the heated wafer support platform before it is incident on the wafer.
A method of stripping a layer of photoresist from a substrate, wherein the substrate is placed on a heated surface and oxidizing fluid is passed through a space over the photoresist layer, comprising the steps of, providing a heated surface on which said substrate is placed, providing a second surfa
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