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Manufacturing high purity/low chlorine content silicon by feeding chlorosilane into a fluidized bed of silicon particles 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C01B-033/02
출원번호 US-0489265 (1990-03-06)
우선권정보 JP-0053489 (1989-03-06)
발명자 / 주소
  • Age Shuichi (Amagasaki JPX)
출원인 / 주소
  • Osaka Titanium Co., Ltd. (Hyogo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 20  인용 특허 : 0

초록

A method of manufacturing high-purity silicon crystals, which comprises depositing silicon on the surface of high-purity silicon particles, while feeding into a fluidized bed reactor at a high temperature a material gas consisting of high purity chlorosilane and a diluting gas, said method having a

대표청구항

A method of manufacturing high-purity silicon crystals having a residual chlorine content of less than 20 ppm, which comprises depositing silicon on the surface of high-purity silicon particles, while feeding into a fluidized bed reactor at a high temperature a material gas consisting of high-purity

이 특허를 인용한 특허 (20)

  1. Sansegundo-Sanchez, Javier; Benavides-Rel, Xavier; Vales-Canle, Manuel; Tomas-Martinez, Maria, Cooled gas distribution plate, thermal bridge breaking system, and related methods.
  2. Weidhaus, Dieter; Crössmann, Ivo; Schreieder, Franz, Dust-free and pore-free, high-purity granulated polysilicon.
  3. Arvidson, Arvid Neil; Horstman, Terence Lee; Molnar, Michael John; Schmidt, Chris Tim; Spencer, Jr., Roger Dale, Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods.
  4. Sanchez, Javier San Segundo; Barona, Jose Luis Montesinos; Conejero, Evaristo Ayuso; Canle, Manuel Vicente Vales; Rel, Xavier Benavides; Garcia, Pedro-Tomas Lujan; Martinez, Maria Tomas, Fluidized bed reactor for production of high purity silicon.
  5. Sanchez, Javier San Segundo; Barona, Jose Luis Montesinos; Conejero, Evaristo Ayuso; Canle, Manuel Vicente Vales; Rel, Xavier Benavides; Garcia, Pedro-Tomas Lujan; Martinez, Maria Tomas, Fluidized bed reactor for production of high purity silicon.
  6. Hertlein, Harald; Hauswirth, Rainer; Weidhaus, Dieter, Granular polycrystalline silicon and production thereof.
  7. Weckesser, Dirk; Hauswirth, Rainer, Granular polycrystalline silicon and production thereof.
  8. Miller, Matthew J.; Spangler, Michael V.; Zeininger, Gerald A.; Onstot, William J.; Stupin, Walter J., Joint design for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor.
  9. Miller, Matthew J.; Spangler, Michael V., Method and apparatus to reduce contamination of particles in a fluidized bed reactor.
  10. Froehlich, Robert; Mixon, David, Methods and system for cooling a reaction effluent gas.
  11. Yilmaz, Sefa; Miller, Matthew J.; Spangler, Michael V.; Wemp, Barry; Julsrud, Stein, Non-contaminating bonding material for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor.
  12. Miller, Matthew; Spangler, Michael V.; Wemp, Barry; Osborne, E. Wayne, Probe assembly for a fluid bed reactor.
  13. Schreieder Franz,DEX ; Kim Hee Young,KRX, Process for preparing highly pure silicon granules.
  14. Haeckl, Walter; Hesse, Karl; Hoebold, Wilhelm; Wolf, Reinhard, Process for producing polycrystalline silicon.
  15. Bhusarapu, Satish; Gupta, Puneet; Huang, Yue, Production of polycrystalline silicon by the thermal decomposition of silane in a fluidized bed reactor.
  16. Bhusarapu, Satish; Gupta, Puneet; Huang, Yue, Production of polycrystalline silicon by the thermal decomposition of silane in a fluidized bed reactor.
  17. Chu, Xi, Reactor and method for producing high-purity granular silicon.
  18. Froehlich, Robert; Fieselmann, Ben; Mixon, David; Tsuo, York, Reactor with silicide-coated metal surfaces.
  19. Osborne, E. Wayne; Miller, Matthew J.; Spangler, Michael V.; Zeininger, Gerald A.; Onstot, William J.; Stupin, Walter J., Segmented silicon carbide liner.
  20. Arvidson, Arvid Neil; Molnar, Michael, Silicon production with a fluidized bed reactor integrated into a Siemens-type process.
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