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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0489265 (1990-03-06) |
우선권정보 | JP-0053489 (1989-03-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 0 |
A method of manufacturing high-purity silicon crystals, which comprises depositing silicon on the surface of high-purity silicon particles, while feeding into a fluidized bed reactor at a high temperature a material gas consisting of high purity chlorosilane and a diluting gas, said method having a
A method of manufacturing high-purity silicon crystals having a residual chlorine content of less than 20 ppm, which comprises depositing silicon on the surface of high-purity silicon particles, while feeding into a fluidized bed reactor at a high temperature a material gas consisting of high-purity
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