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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0618578 (1990-11-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 0 |
A GaAs circuit structure is described which interposes a Langmuir-Blodgett (L-B) layer between the substrate and a conductive contact. The thickness of the layer is controlled to determine the operating characteristics of the device. The head group of the L-B molecule is chosen so that it passivates
A method of forming an electrical circuit structure with a Langmuir-Blodgett (L-B) insulating layer on a semiconductor substrate, comprising: determining the polarity and density of surface charge on the substrate, selecting a L-B material having a head group with a polarity in solution opposite to
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