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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | C04B-035/56 C04B-035/58 C04B-035/12 |
미국특허분류(USC) | 252/516 ; 252/504 ; 501/89 ; 501/91 |
출원번호 | US-0411666 (1989-09-25) |
우선권정보 | JP-0240325 (1988-09-26) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 0 |
Disclosed herein is a sintered silicon carbide composite prepared by sintering a blend comprising from 25 to 85% by weight of silicon carbide, from 1 to 25% by weight of at least one of chromium and chromium compound, from 10 to 70% by weight of at least one of carbide, nitride and boride of elements belonging to the groups IVb and Vb of the periodical table, and from 3 to 25% by weight of aluminum oxide, in an inert gas atmosphere at a temperature from 1700°to 2100°C.
A sintered silicon carbide composite having a relative density of not less than 93%, a specific electrical resistivity of not greater than 10 ohm-cm and a bending strength of not less than 400 MPa, and prepared by sintering a blend consisting essentially of from 25 to 85% by weight of silicon carbide, from 1 to 25% by weight of at least one of chromium and chromium compound, from 10 to 70% by weight of at least one of carbide, nitride and boride f elements belonging to the groups IVb and Vb of the periodical table, and from 3 to 25% by weight of aluminum...