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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0326783 (1989-03-21) |
우선권정보 | JP-0070597 (1988-03-23); JP-0070598 (1988-03-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 64 인용 특허 : 0 |
An electronic device substrate includes a spinel epitaxial film formed on a silicon single-crystal substrate and an oxide superconductor layer formed on the spinel film. The oxide superconductor layer is represented by formula Px(Q,Ca)yCuzOd
An electronic device substrate comprising: a silicon single-crystal substrate; a spinel epitaxial film formed on said singlecrystal substrate; and an oxide superconductor film formed on said spinel film, said oxide superconductor being represented by formula Px(Q,Ca)yCuzOd0.08≤x/(x+y+z)≤0.41, 0.29≤y
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