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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0759970 (1991-09-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 0 |
A monolithic silicon nitride ceramic is densified at temperatures lower than 2000°C. and heat treated at temperatures greater than 2000°C. in the presence of at least 6.5 w % of multi-component sintering aids. This monolithic silicon nitride has a highly acicular microstructure Chevron Notch fractur
A monolithic silicon nitride ceramic, said ceramic having been densified and heat treated in the presence of about 6.5 to 18 wt % refractory sintering aids, the balance of said ceramic being silicon nitride and incidental impurities, said densification and heat treatment having been carried out in a
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