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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0633647 (1990-12-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 65 인용 특허 : 0 |
This is a method of forming a semiconductor-on-insulator wafer from two individual wafers. The method comprises: forming a layer of metal (e.g. titanium 24) on a first wafer; forming an insulator (e.g. oxide 32) on a second wafer; forming a bonding layer (e.g. poly 38) over the insulator; anisotropi
A method of forming a semiconductor-on-insulator wafer from two individual wafers; said method comprising: a. forming a layer of metal on a first wafer; b. forming an insulator on a second wafer; c. forming a bonding layer over said insulator; d. anisotropically etching said bonding layer to form ch
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