최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0760300 (1991-09-16) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 30 인용 특허 : 0 |
The present invention is a process for the cleaning of the inner surfaces of a chemical vapor deposition reactor used in the production of polycrystalline silicon. The process comprises impacting the surfaces to be cleaned with solid carbon dioxide pellets. The carbon dioxide pellets dislodge silico
A process for cleaning the surfaces of a chemical vapor deposition reactor, the process comprising: impacting silicon deposits on the inner surfaces of a reactor used in chemical vapor deposition of a source gas selected from a group consisting of silane and halosilane to form polycrystalline silico
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.