최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0497555 (1990-03-22) |
우선권정보 | CA-0594495 (1989-03-22); CA-0615000 (1989-09-29) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 0 |
A process for producing a two phase metal/oxide film. The process comprises forming a porous oxide film on a substrate, introducing a weakened stratum into the oxide film so that the film (or at least an outer part of the film) can be subsequently detached along the weakened stratum, depositing a me
A process of producing a two phase metal/oxide film containing metal deposits positioned between inner and outer ends of pores in said film, which process comprises: carrying out a first porous anodization of an anodizable metal substrate to form an initial porous oxide film layer on said substrate;
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.