[특허]Avalanche stress protected semiconductor device having variable input impedance

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H02H-009/02 H03K-017/08 G05F-001/63
출원번호	US-0637719 (1991-01-07)
발명자 / 주소	Robb Stephen P. (Tempe AZ) Phipps John P. (Phoenix AZ) Gadberry Michael D. (Tempe AZ)
출원인 / 주소	Motorola, Inc. (Schaumburg IL 02)
인용정보	피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 0

초록 ▼

A power transistor having a control electrode which is coupled to a polysilicon JFET transistor is provided. In particular, a power MOSFET device having a polysilicon gate is formed and a JFET transistor is formed in the same polysilicon layer which forms the gate of the power MOSFET. A drain of the JFET forms an input terminal for the power MOSFET and a source of the JFET is coupled to the gate of the power MOSFET. A gate of the JFET is coupled to a gate-drain diode clamp so that when the gate-drain diode clamp is activated a portion of the current which is used to turn on the power MOSFET is channeled to the gate of the JFET and increases the drain-to-source series resistance of the JFET. The resistance of the JFET is low during normal operation and increases only when the gate-drain clamp is activated thus provides a high resistance during avalanche stress protection and a low resistance during normal operation.

대표청구항 ▼

A method of protecting a power transistor having a control electrode and first and second current carrying electrodes, comprising the steps of: providing a first means for passing current from the first current carrying electrode to the control electrode when an avalanche stress condition exists; providing a variable resistance which is controlled by the first means for passing current, wherein the variable resistance is coupled in series with the power transistor control electrode; and increasing the variable resistance when current flows in the first means for passing current.

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Keller, Daren W.; Andrews, John T., Apparatus related to an inductive switching test.
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Furuhata Shoichi,JPX ; Takeuchi Shigeyuki,JPX ; Fujihira Tatsuhiko,JPX, Circuit device for igniting internal combustion engine and semiconductor device for igniting internal combustion engine.
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Masahiro Kitagawa JP; Junichi Nagata JP, Electrical load driving circuit with protection.
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Dake, Luthuli E.; Wicht, Bernard; Wendt, Michael Herbert, Flyback current control.
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Baudelot, Eric; Bruckmann, Manfred; Mitlehner, Heinz; Stephani, Dietrich; Weis, Benno, Hybrid power MOSFET.
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Phipps John P. (Phoenix AZ) Robb Stephen P. (Tempe AZ) Sutor Judy L. (Chandler AZ) Terry Lewis E. (Phoenix AZ), Method for making semiconductor device having high energy sustaining capability and a temperature compensated sustaining.
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Hussein,Khalid Hassan; Shinohara,Masuo, Power conversion device.
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Arikawa Hiroo,JPX ; Maruo Masaya,JPX, Resettable overcurrent protective circuit.
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Kusunoki, Shigeru; Mochizuki, Koichi; Kawakami, Minoru, Semiconductor device with a resistance element in a trench.
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Yokosawa Kouji,JPX, Semiconductor integrated circuit including voltage follower circuit.
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Campi, Jr., John B.; Chang, Shunhua T.; Chatty, Kiran V.; Gauthier, Jr., Robert J.; Muhammad, Mujahid, Silicon controlled rectifier based electrostatic discharge protection circuit with integrated JFETs, method of operation and design structure.
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Kenji Kouno JP, Surge preventing circuit for an insulated gate type transistor.
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Bernoux, Beatrice; Escoffier, Rene; Reynes, Jean Michel, Transistor power switch device and method of measuring its characteristics.
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Arndt, Christian; Graf, Alfons, Vehicle on-board electric power system.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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