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특허 상세정보

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Method and apparatus for measuring optical constants of a thin film as well as method and apparatus for fabricating a th

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) G01N-021/41   
미국특허분류(USC) 356/128 ; 356/135 ; 356/137
출원번호 US-0480649 (1990-02-15)
우선권정보 JP-0063601 (1989-03-17)
발명자 / 주소
  • Sato Hidemi (Yokohama JPX) Hira Yasuo (Yokohama JPX) Fukushima Atsuko (Yokohama JPX) Asao Hiroshi (Yokohama JPX) Kawamoto Kazumi (Yokohama JPX) Ito Kenchi (Yokohama JPX) Funatsu Ryuichi (Yokohama JPX
출원인 / 주소
  • Hitachi, Ltd. (Tokyo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 25  인용 특허 : 0
초록
▼

A sample is located so as to be close to a prism and a light beam coming from a light source is projected to the prism while varying the incident angle to the prism as a parameter. The incident light beam to the prism is propagated therein and light emerging from the bottom surface of the prism, which is in contact with the sample, is projected to the sample. At the same time the intensity of light reflected by the bottom surface of the prism is measured. Optical constants such as the refractive index, the film thickness, the distribution of the refracti...

대표
청구항
▼

A method for measuring optical constants of a thin film comprising the steps of: disposing a prism having a spherical surface such that the spherical surface is close to the thin film; projecting at least one light beam coming from at least one light source to said prism, while varying the incident angle thereof; projecting the light beam emerging from the spherical surface of said prism, which is closely disposed to said thin film, to said thin film and at the same time measuring the intensity of the light beam reflected by the spherical surface of said...

이 특허를 인용한 특허 (25)

  1. Dvir Eran,ILX ; Haimovich Eli,ILX ; Shulman Benjamin,ILX, Apparatus for optical inspection of wafers during polishing.
  2. Eran Dvir IL; Moshe Finarov IL; Eli Haimovich IL; Beniamin Shulman IL, Apparatus for optical inspection of wafers during polishing.
  3. Finarov Moshe,ILX, Apparatus for optical inspection of wafers during polishing.
  4. Finarov, Moshe, Apparatus for optical inspection of wafers during polishing.
  5. Finarov,Moshe, Apparatus for optical inspection of wafers during processing.
  6. Bornhop, Darryl J.; Mousa, Mina; Kussrow, Amanda, Backscattering interferometric methods.
  7. Kotani Shigeo (Fujisawa JPX), Diffused layer depth measurement apparatus.
  8. Darryl J. Bornhop ; Kelly Swinney ; Dmitry Markov, Interferometric detection system and method.
  9. Benner, Jr., William R., Laser light projector having beam diffuser and associated methods.
  10. Landers William Francis ; Singh Jyothi, Method and apparatus for imaging surface topography of a wafer.
  11. Amara, Mohamed Kamel; Melikechi, Noureddine; Mian, Sabbir M., Method and apparatus for simultaneous measurement of the refractive index and thickness of thin films.
  12. Campagne, Benjamin; Passelande, Patrick; Bentouhami, Franck, Method and device for nondestructive testing of material health especially in the fillets of a composite part.
  13. Lin,Chun Te; Yang,Chih Sheng; Lee,Hong Zhi; Chen,Ta Te, Method for monitoring an ion implanter.
  14. Synowicki, Ronald A.; Pribil, Greg K.; Martin, Andrew C., Method of determining refractive index of prism shaped material.
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  16. Bornhop, Darryl J., Multiplexed interferometric detection system and method.
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  22. Zhan, Changqing; Schuele, Paul John, Particle detector for particulate matter accumulated on a surface.
  23. Bornhop, Darryl J.; Kammer, Michael, Robust interferometer and methods of using same.
  24. Honma Ichirou,JPX ; Aisou Fumiki,JPX, System for detecting unevenness degree of surface of semiconductor device.
  25. Bornhop, Darryl J.; Swinney, Kelly; Markov, Dmitry, Universal detector for biological and chemical separations or assays using plastic microfluidic devices.

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