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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0666912 (1991-03-11) |
우선권정보 | JP-0061531 (1990-03-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 35 인용 특허 : 0 |
The invention provides a novel method of manufacturing a semiconductor device comprising those sequential steps including the following, formation of a floating gate electrode on a region predetermined for the formation of the first conductive channel across an insulation film, followed by superimpo
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: forming a semiconductor element region on a semiconductor substrate; forming a first insulation layer on a resulting semiconductor structure; forming a first conductive layer on said first insulation layer; forming a second i
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