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Electrcally plastic device and its control method 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-029/28
출원번호 US-0836556 (1992-02-18)
우선권정보 JP-0192961 (1989-07-25); JP-0018310 (1990-01-29); JP-0035121 (1990-02-15); JP-0113390 (1990-04-27)
발명자 / 주소
  • Kishimoto Yoshio (Hirakata JPX) Soga Mamoru (Osaka JPX) Maruno Susumu (Osaka JPX)
출원인 / 주소
  • Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (Osaka JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 30  인용 특허 : 0

초록 ▼

This invention provides an electrically plastic device in which an electron conjugated polymeric semiconductor layer containing a mobile dopant is formed across a pair of electrodes and at least one gate electrode is provided between said pair of electrodes with an insulating layer or a high-resista

대표청구항 ▼

An electrically plastic device having a MOS-FET structure wherein an electron conjugated polymeric semiconductor layer containing a mobile dopant for imparting electronic conductivity is formed between a pair of electrodes and at least one gate electrode is provided between said pair of electrodes w

이 특허를 인용한 특허 (30)

  1. Bulovic, Vladimir; Mandell, Aaron; Perlman, Andrew, Addressable and electrically reversible memory switch.
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  2. Strukov, Dmitri Borisovich; Snider, Gregory S.; Williams, R. Stanley, Capacitive crossbar arrays.
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  3. Williams, R. Stanley, Electrically actuated switch.
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  4. Bulovic,Vladimir; Mandell,Aaron; Perlman,Andrew, Electrically addressable memory switch.
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  5. Mandell, Aaron; Perlman, Andrew, Floating gate memory device using composite molecular material.
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  6. Wu, Yiliang; Liu, Ping; Ong, Beng S.; Murti, Dasarao K., Gelable composition.
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  7. Bratkovski, Alexandre M.; Williams, R. Stanley, Memcapacitor.
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  8. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device.
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  9. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device.
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  10. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device.
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  11. Krieger, Juri H.; Yudanoy, Nikolai, Memory device.
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  12. Krieger, Juri H.; Yudanov, N. F., Memory device with a self-assembled polymer film and method of making the same.
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  13. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device with active and passive layers.
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  14. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device with active passive layers.
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  15. Wu, Wei; Strachan, John Paul; Williams, R. Stanley; Florentino, Marco; Wang, Shih-Yuan; Quitoriano, Nathaniel J.; Cho, Hans S.; Borghetti, Julien; Mathai, Sagi Varghese, Memristive device.
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  16. Kozicki, Michael N., Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same.
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  17. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolay F., Molecular memory cell.
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  18. Krieger,Juri H; Yudanov,Nicolay F, Molecular memory cell.
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  19. Bulovic, Vladimir; Mandell, Aaron; Perlman, Andrew, Molecular memory device.
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  20. Kozicki, Michael N, Optimized solid electrolyte for programmable metallization cell devices and structures.
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  21. Kozicki, Michael N., Optimized solid electrolyte for programmable metallization cell devices and structures.
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  22. Sydorenko, Oleksandr; Vaidyanathan, Subramanian, Organic semiconductor compositions including plasticizers.
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  23. Sydorenko, Oleksandr; Vaidyanathan, Subramanian, Organic semiconductor compositions including plasticizers.
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  24. Kingsborough,Richard P.; Sokolik,Igor, Organic thin film Zener diodes.
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  25. Kozicki, Michael N., Programmable metallization cell structure including an integrated diode, device including the structure, and method of forming same.
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  26. Kozicki, Michael N., Programmable metallization cell structure including an integrated diode, device including the structure, and method of forming same.
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  27. Bulovic, Vladimir; Mandell, Aaron; Perlman, Andrew, Reversible field-programmable electric interconnects.
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  28. Bulovic,Vladimir; Mandell,Aaron; Perlman,Andrew, Reversible field-programmable electric interconnects.
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  29. Wu,Yiliang; Liu,Ping; Ong,Beng S.; Murti,Dasarao K., Thin film transistor with a semiconductor layer that includes a gelable self-organizable polymer.
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  30. Mizusaki,Masanobu; Yamahara,Motohiro, Transistor and display device including the transistor.
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