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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0680858 (1991-04-05) |
우선권정보 | JP-0095470 (1990-04-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 0 |
For providing an avalanche photodiode having a good guard ring effect and a high speed response, a body of semiconductor materials is prepared, which includes a window layer of n-type InP epitaxially grown on an avalanche multiplication layer of n+-type InP. The window layer is selectively removed s
An avalanche photodiode comprising: a semiconductor body of one conductivity type including a window layer provided on an avalanche multiplication layer; a tapered recessed portion having a flat bottom and formed in said window layer; a guard ring of an opposite conductivity type formed in said wind
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