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Avalanche photodiode having guard ring

국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-027/14
출원번호 US-0680858 (1991-04-05)
우선권정보 JP-0095470 (1990-04-11)
발명자 / 주소
  • Okazaki Haruhiko (Yokohama JPX)
출원인 / 주소
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Kawasaki JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 18  인용 특허 : 0

초록

For providing an avalanche photodiode having a good guard ring effect and a high speed response, a body of semiconductor materials is prepared, which includes a window layer of n-type InP epitaxially grown on an avalanche multiplication layer of n+-type InP. The window layer is selectively removed s

대표청구항

An avalanche photodiode comprising: a semiconductor body of one conductivity type including a window layer provided on an avalanche multiplication layer; a tapered recessed portion having a flat bottom and formed in said window layer; a guard ring of an opposite conductivity type formed in said wind

이 특허를 인용한 특허 (18)

  1. Dabrowski Andrzej J. ; Eremin Vladimir K.,RUX ; Sidorov Anatoly I.,RUX, Active large area avalanche photodiode array.
  2. Dabrowski Andrzej J. ; Eremin Vladimir K.,RUX ; Sidorov Anatoly I.,RUX, Active large area avalanche photodiode array.
  3. Chang, Jin-Wei; Hsu, Jen-Yao; Wang, Hong-Xian; Chen, Yu-Hsien, Ambit light sensor with function of IR sensing.
  4. Su Chung-Yi (Milpitas CA) Hasnain Ghulam (Stanford CA) Hollenhorst James N. (Saratoga CA), Avalanche photodiode with epitaxially regrown guard rings.
  5. Altwaijry, Haithem, Computing imaging data using intensity correlation interferometry.
  6. Mohammed Al-Saud, Turki Saud; Al-Khowaiter, Soliman Hammad; Al-Muhanna, Muhanna Kamal; Solonevich, Sergey; Ryzhevich, Anatol; Kazak, Nikolai, Controlling microparticles through a light field having controllable intensity and periodicity of maxima thereof.
  7. Niitsu Toshihiro,JPX ; Fukushima Minoru,JPX, Electrical connector with reinforced engagement means.
  8. Morse, Michael T.; Dosunmu, Olufemi I.; Liu, Ansheng; Paniccia, Mario J., Germanium/silicon avalanche photodetector with separate absorption and multiplication regions.
  9. Morse, Michael T.; Dosunmu, Olufemi I.; Liu, Ansheng; Paniccia, Mario J., Germanium/silicon avalanche photodetector with separate absorption and multiplication regions.
  10. Pauchard, Alexandre; Morse, Michael T., Inverted planar avalanche photodiode.
  11. Hasnain Ghulam ; Hollenhorst James N. ; Su Chung-Yi, Mesa-structure avalanche photodiode having a buried epitaxial junction.
  12. Sugiyama Mitsuhiro,JPX, Method for fabricating photodetector.
  13. Chang, Jin-Wei; Wang, Hung-Lung; Hung, Jung-Kai, Multi-wave band light sensor combined with function of IR sensing and method of fabricating the same.
  14. Hu, Syn-Yem, Photodiode and method of fabrication.
  15. Inada, Hiroshi, Photodiode array and image pickup device using the same.
  16. Boisvert, Joseph C., Recessed p-type region cap layer avalanche photodiode.
  17. Sarid, Gadi; Kang, Yimin; Pauchard, Alexandre, Semi-planar avalanche photodiode.
  18. Soloviev, Stanislav Ivanovich; Cha, Ho-Young; Sandvik, Peter Micah; Vert, Alexey; Fronheiser, Jody Alan, Semiconductor devices and systems.
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