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Polycrystalline silicon carbide fibers 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C04B-035/02
  • C04B-035/52
  • C01B-033/06
  • C01B-031/36
출원번호 US-0729768 (1991-07-15)
발명자 / 주소
  • Deleeuw David C. (Midland MI) Lipowitz Jonathan (Midland MI) Lu Paul P. (Hacienda Heights CA)
출원인 / 주소
  • Dow Corning Corporation (Midland MI 02)
인용정보 피인용 횟수 : 6  인용 특허 : 0

초록

This invention relates to the preparation of thermally stable, substantially polycrystalline silicon carbide ceramic fibers derived from a polycarbosilane resin. The unexpected thermal stability of these fibers is achieved by the incorporation of boron prior to ceramification.

대표청구항

Thermally stable, nitrogen-free silicon carbide fibers having at least 75% crystallinity which contain at least about 0.2 weight boron and which have a density of at least about 2.9 gm/cm3 and an average tensile strength of at least about 164 ksi after heat treatment to a temperature of greater than

이 특허를 인용한 특허 (6)

  1. Barnard Thomas Duncan ; Nguyen Kimmai Thi ; Rabe James Alan, Continuous method of producing silicon carbide fibers.
  2. Sacks Michael D., Creep-resistant, high-strength silicon carbide fibers.
  3. Sitter, Sandra; Reiter, Birgit, Method for producing ceramic fibers of a composition in the SiC range and for producing SiC fibers.
  4. Sacks Michael D. ; Toreki William ; Batich Christopher D. ; Choi Guang J.,KRX, Preparation of boron-doped silicon carbide fibers.
  5. Ishikawa Toshihiro,JPX ; Harada Yoshikatu,JPX ; Inoue Yoshiyuki,JPX ; Yamaoka Hiroyuki,JPX, Silicon carbide fiber having excellent alkali durability.
  6. Sacks Michael D., Silicon carbide fibers with low boron content.
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