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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0581274 (1990-09-12) |
우선권정보 | DE-3934140 (1989-10-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 0 |
Semiconductor slices, in particular having the surface polished on both sides, can be provided with a surface which effects the formation of gettering centers. These centers include stacking faults and/or dislocation networks in subsequent thermal treatment steps by a pressure loading being exerted
A process for the surface treatment of a semiconductor slice having a front surface and a back surface comprising: providing an elastic pressure transmission medium, which causes local pressure inhomogeneities; subjecting at least one of said front surface or back surface of said slice to a pressure
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