최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0759552 (1991-09-13) |
우선권정보 | JP-0247946 (1990-09-18); JP-0401629 (1990-12-12); JP-0000970 (1991-01-09); JP-0000974 (1991-01-09) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 0 |
A method of using infrared light for measuring the temperature of a semiconductor element with a surface layer formed by two kinds of materials that have different emissivities and optical reflectances is disclosed. The method includes the step of taking an image with diffused light reflected from t
A method of using infrared light for measuring the temperature of a semiconductor element which has a surface layer formed with not less than two kinds of materials that have different infrared emissivities, said method comprising the steps of: (a) determining the emissivity of each of the materials
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.