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Method of determining end of cleaning of semiconductor manufacturing apparatus 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H05H-001/18
출원번호 US-0623367 (1990-12-07)
우선권정보 JP-0078505 (1987-03-31)
발명자 / 주소
  • Mase Yasukazu (Tokyo JPX) Abe Masahiro (Yokohama JPX) Hirata Osamu (Kawasaki JPX)
출원인 / 주소
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Kanagawa JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 35  인용 특허 : 0

초록 ▼

In a method for determining an end of cleaning of a semiconductor manufacturing apparatus according to the invention, when the interior of a semiconductor substrate process chamber of the semiconductor manufacturing apparatus is cleaned by dry etching using plasma discharge, a constant current or vo

대표청구항 ▼

A device for determining an end of cleaning of a semiconductor manufacturing apparatus having a semiconductor substrate process chamber comprising: means for cleaning an interior of the chamber using plasma discharge etching; means for monitoring a temperature in the chamber; and means for detecting

이 특허를 인용한 특허 (35)

  1. Birang, Manush; Kolte, Gregory L.; Doyle, Terry Lee; Johansson, Nils; Luscher, Paul E.; Poslavsky, Leonid, Apparatus and method for endpoint control and plasma monitoring.
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  2. Sakai, Katsuo; Abe, Kaoru; Okura, Seiji; Sakamura, Masaji; Murata, Hitoshi; Kameda, Kenji; Wani, Etsuo; Sekiya, Akira, Device for cleaning CVD device and method of cleaning CVD device.
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  3. Adachi Kouichiro,JPX ; Morishita Satoshi,JPX ; Sugimoto Kazuo,JPX, Dry etching method.
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  4. Michael Lane Smith, Jr. ; Joel O'Don Stevenson ; Pamela Peardon Denise Ward, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  5. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  6. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  7. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  8. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  9. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  10. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  12. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  13. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  14. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  15. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  16. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  17. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  18. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  19. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  20. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
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  21. Thomas Nowak ; Sebastien Raoux ; Dave Silvetti ; Stefan Wolff ; Russ Newman ; Imad Yousif ; Ned Matthew, Method and apparatus for optical detection of effluent composition.
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  22. Heger,Percy; Hoerning,Tobias; Otto,Ralf, Method for determining the end point for a cleaning etching process.
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  23. Fujita Yoshiyuki,JPX ; Hirai Jun,JPX ; Iitaka Azusa,JPX ; Tamura Tatsuya,JPX, Method of cleaning film forming apparatus, cleaning system for carrying out the same and film forming system.
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  24. Annapragada, Rao Venkateswara, Method of determining an end point for a remote microwave plasma cleaning system.
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  25. Morisada, Yoshinori; Matsuki, Nobuo; Goundar, Kamal Kishore, Method of forming a carbon polymer film using plasma CVD.
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  26. Goundar, Kamal Kishore, Method of forming a high transparent carbon film.
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  27. Tomioka Kazuhiro,JPX, Plasma processing apparatus and method.
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  28. Komino,Mitsuaki; Sasaki,Yasuharu; Tsuboi,Kyo; Amano,Hideaki, Plasma processing apparatus, and electrode structure and table structure of processing apparatus.
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  29. Burgos, Rolando, Rectifier for converting three-phase AC voltage to 12-pulse DC voltage.
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  30. Turner Terry R. ; Belcher James F. ; Andrews Gary W., Retractable probe system with in situ fabrication environment process parameter sensing.
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  31. Turner Terry R. ; Belcher James F. ; Andrews Gary W., Retractable probe system with in situ fabrication environment process parameter sensing.
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  32. Makoto Sekine JP; Nobuo Hayasaka JP; Katsuya Okumura JP, Semiconductor processing system and method of using the same.
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  33. Kato, Shigekazu; Nishihata, Kouji; Tsubone, Tsunehiko; Itou, Atsushi, Vacuum processing apparatus and operating method therefor.
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  34. Kato, Shigekazu; Nishihata, Kouji; Tsubone, Tsunehiko; Itou, Atsushi, Vacuum processing apparatus and operating method therefor.
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  35. Kato, Shigekazu; Nishihata, Kouji; Tsubone, Tsunehiko; Itou, Atsushi, Vacuum processing apparatus and operating method therefor.
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