[특허]Method of depositing diamond-like carbon film onto a substrate having a low melting temperature

Method of depositing diamond-like carbon film onto a substrate having a low melting temperature 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B05D-003/06 C01B-031/06 C23C-014/00
출원번호	US-0471849 (1990-01-29)
발명자 / 주소	Cumbo Michael J. (Rochester NY)
출원인 / 주소	Bausch & Lomb Incorporated (Rochester NY 02)
인용정보	피인용 횟수 : 40 인용 특허 : 0

초록 ▼

A diamond-like carbon film is deposited on an insulating substrate using a solid carbon source evaporated by an electron beam so as to maintain the substrate temperature below about 150°C. in a differentially evacuated chamber containing a selective etchant gas such as hydrogen. In orer to bombard the substrate with positively charged ions while preventing accumulation of a repulsive surface charge, a radio frequency (RF) electric field is applied to a rotating fixture holding the substrate. The differentially evacuated chamber maintains the atmospheric pressure around the solid carbon source at one end of the chamber at a sufficiently low pressure to prevent loss of electron beam energy and thereby enable vaporization of the carbon while maintaining the substrate at the other end of the chamber at a higher pressure which enables the RF electric field to excite an ion gas plasma around the substrate and thereby facilitate deposition of the diamond-like carbon film. In the preferred embodiment, the differentially evacuated chamber has a bypass manifold connected between the two ends of the chamber. A control system responding to pressure sensing apparatus inside the chamber governs the position of a butterfly valve in the bypass manifold to regulate the differential pressure in the chamber. In order to keep the substrate temperature below about 150°, the rotating fixture holding the substrate is water-cooled.

대표청구항 ▼

A method of depositing diamond-like carbon from a solid carbon source in a vacuum chamber onto the surface of an insulating substrate in said chamber without melting said substrate, said substrate having a melting temperature less than about 150°C., comprising: directing an electron beam at said solid carbon source so as to vaporize carbon from said solid carbon source while maintaining in the vicinity of said electron beam a first pressure; generating a high frequency RF electric field near said substrate while maintaining in the vicinity of said substrate a second pressure greater than said first pressure.

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