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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0814966 (1991-12-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 52 인용 특허 : 0 |
An epitaxial stack (10) is provided that allows integration of both vertical and horizontal quantum effect devices. Epitaxial stack (10) allows fabrication of both quantum well resonant tunneling transistors (27) and Stark-effect transistors (34), thus allowing for circuit integration of different q
A method of forming an integrated circuit including a Stark-effect transistor and a resonant tunneling transistor using a single epitaxial stack, comprising the steps of: forming a semi-insulating substrate; forming a subcollector layer on the semi-insulating substrate having a relatively low band g
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