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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0417311 (1989-10-05) |
우선권정보 | JP-0255491 (1988-10-11); JP-0082015 (1989-03-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 0 |
Carbonaceous films are coated on a surface by chemical vapor reation. In advance of the deposition of carbonaceous film, a silicon nitride film as coated on the surface to prevent interdiffusion between the carbonaceous film and the underlying surface.
A method of selectively forming a diamond film on a substrate comprising the steps of: coating a mask on said substrate; scratching the surface of said substrate except the portion that has been covered with said mask; removing said mask; and disposing said substrate in a reaction chamber; growing a
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