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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0624783 (1990-12-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 27 인용 특허 : 0 |
A bonded structure is described consisting of a semiconductor wafer, preferably gallium arsenide, soldered to a substrate material. A method for forming the structure is also described. The structure provides mechanical support and thermal conductivity for the wafer, as well as a multitude of connec
A bonded semiconductor wafer device, comprising: a semiconductor wafer having a top and a bottom surface, said wafer containing circuitry on its top surface; a substrate having a top and a bottom surface; a bonding means operable to join the bottom surface of said wafer to the top surface of said su
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