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Method of making a nonvolatile semiconductor memory device

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/70
출원번호 US-0692210 (1991-04-26)
우선권정보 KR-0021387 (1990-12-21)
발명자 / 주소
  • Choi Jeong-hyeok (Seoul KRX) Kim Geon-su (Kyunggi KRX) Sin Yun-seong (Kyunggi KRX)
출원인 / 주소
  • Samsung Electronics Co., Ltd. (Kyunggi KRX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 26  인용 특허 : 0

초록

A nonvolatile semiconductor memory device and the method thereof is disclosed. The nonvolatile semiconductor memory device comprises a first conductive type semiconductor substrate, a field oxide film formed on the semiconductor substrate to define an active region, a source region and a drain regio

대표청구항

A method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device comprising the steps of: growing a gate oxide film on the an active region of a semiconductor substrate of a first conductivity type; depositing a first polycrystalline silicon layer on said gate oxide film; covering said first pol

이 특허를 인용한 특허 (26)

  1. Kim, Ki Seog, Flash memory device.
  2. Kim,Ki Seog, Flash memory device and method of fabricating the same.
  3. Mase Akira,JPX ; Kushida Tomoyoshi,JPX, Insulated gate type semiconductor device and process for producing the device.
  4. Fornara, Pascal, Memory with a read-only EEPROM-type structure.
  5. Luning Scott D. ; Randolph Mark, Method and system for gate stack reoxidation control.
  6. Fang Hao ; Omid-Zehoor Farrokh ; Lukanc Todd ; Schmidt Chris, Method for construction and fabrication of submicron field-effect transistors by optimization of poly oxide process.
  7. Hiroyuki Doi JP; Yasushi Okuda JP; Keita Takahashi JP; Nobuyuki Tamura JP, Method for fabricating semiconductor device using a CVD insulator film.
  8. Kim Moon Hwan,KRX ; Eom Yong Taek,KRX, Method of forming dielectric film of semiconductor memory device.
  9. Ghneim Said N. ; Fulford ; Jr. H. Jim, Method of making non-volatile memory device having a floating gate with enhanced charge retention.
  10. Iguchi Katsuji (Yamatokoriyama JPX), Method of making nonvolatile memory cell with crystallized floating gate.
  11. Fukunaga,Hiroyuki, Method of manufacturing nonvolatile semiconductor storage device.
  12. Hazama Hiroaki,JPX ; Amemiya Kazumi,JPX ; Watanabe Toshiharu,JPX, Method of manufacturing semiconductor devices with alleviated electric field concentration at gate edge portions.
  13. Saito, Yuki; Kobayashi, Yasutaka, Method of producing a semiconductor device having an oxide film.
  14. Wu, Chung-Cheng; Lin, Bi-Ling; Diaz, Carlos Hernando, Method to reduce the gate induced drain leakage current in CMOS devices.
  15. Li, Li; Pan, Pai-Hung, Methods for reoxidizing an oxide and for fabricating semiconductor devices.
  16. Yoo, Jong-weon; Cho, Myoung-kwan; Kim, Jin-woo, Methods of fabricating nonvolatile memory devices including bird's beak oxide.
  17. Lin, Yu-Hsien; Lee, Wen-Fang; Huang, Ya-Huang; Liu, Ming-Yen; Shen, Yu-Kang, Multi-time programmable memory.
  18. Ghneim Said N. ; Fulford ; Jr. H. Jim, Non-volatile memory device having a floating gate with enhanced charge retention.
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  20. Hung-Cheng Sung TW; Di-Son Kuo TW; Chia-Ta Hsieh TW; Yai-Fen Lin TW, Poly tip formation and self-align source process for split-gate flash cell.
  21. Tigelaar Howard L. (Allen TX) Riemenschneider Bert R. (Plano TX) Chapman Richard A. (Dallas TX) Appel Andrew T. (Dallas TX), Process for thickening selective gate oxide regions.
  22. Fukatsu Shigemitsu,JPX ; Kawaguchi Tsutomu,JPX ; Okuno Takuya,JPX ; Yogo Yukiaki,JPX, Semiconductor memory device.
  23. Kawaguchi Tsutomu,JPX ; Katada Mitsutaka,JPX, Semiconductor memory device having high-concentration region around electric-field moderating layer in substrate.
  24. Lue, Hang-Ting; Hsiao, Yi-Hsuan, Semiconductor structure and method for manufacturing the same.
  25. Lue, Hang-Ting; Hsiao, Yi-Hsuan, Semiconductor structure and method for manufacturing the same.
  26. Li, Li; Pan, Pai-Hung, Structures including an at least partially reoxidized oxide material.
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