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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0692210 (1991-04-26) |
우선권정보 | KR-0021387 (1990-12-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 26 인용 특허 : 0 |
A nonvolatile semiconductor memory device and the method thereof is disclosed. The nonvolatile semiconductor memory device comprises a first conductive type semiconductor substrate, a field oxide film formed on the semiconductor substrate to define an active region, a source region and a drain regio
A method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device comprising the steps of: growing a gate oxide film on the an active region of a semiconductor substrate of a first conductivity type; depositing a first polycrystalline silicon layer on said gate oxide film; covering said first pol
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