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특허 상세정보

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Method for manufacturing single-crystal silicon carbide

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C30B-023/00   
미국특허분류(USC) 156/603 ; 156/610 ; 156/613 ; 156/DIG ; 64
출원번호 US-0730590 (1991-07-15)
우선권정보 DE-3920134 (1989-06-20)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 12  인용 특허 : 0
초록

Single crystals of silicon carbide (SiC) can be manufactured by subliming and partially decomposing a base material of crystalline silicon carbide powder and by growing the single crystals from seed crystals. According to the present invention, an excess of silicon is added to the silicon carbide base material. Using this technique, high purity, single-crystal silicon carbide is obtained.

대표
청구항

A method for the growth of single-crystal silicon carbide in a reaction vessel having a protective atmosphere and a small temperature gradient in the direction of growth, comprising: adding excess silicon to a crystalline silicon carbide powder; subliming and partially decomposing the crystalline silicon carbide powder; and growing, on a seed crystal, single crystals of silicon carbide from the sublimed and partially decomposed crystalline silicon carbide powder; wherein said excess silicon is in an amount of from about 0.1% to 5%.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 12

  1. Barrett Donovan L. (Penn Hills Township PA) Seidensticker ; deceased Raymond G. (late of Forest Hills PA by Joan Seidensticker ; heir ) Hopkins Richard H. (Murrysville PA). Apparatus for growing large silicon carbide single crystals. USP1997115683507.
  2. Seo, Soo-Hyung; Song, Joon-Suk; Oh, Myung-Hwan. Growing method of SiC single crystal. USP2010087767021.
  3. Barrett Donovan L. (Penn Hills Twp. PA) Hobgood Hudson M. (Murrysville PA) McHugh James P. (Wilkins Twp. PA) Hopkins Richard H. (Murrysville PA). High resistivity silicon carbide substrates for high power microwave devices. USP1997035611955.
  4. Barrett Donovan L. ; Seidensticker ; deceased Raymond G. ; Hopkins Richard H.. Method for growing large silicon carbide single crystals. USP1999105968261.
  5. Fujiwara, Shinsuke; Nishiguchi, Taro; Hori, Tsutomu; Ooi, Naoki; Ueta, Shunsaku. Method of manufacturing silicon carbide substrate. USP2017049631296.
  6. Barrett Donovan L. ; Thomas Richard N. ; Seidensticker ; deceased Raymond G. ; Hopkins Richard H.. Method of producing large diameter silicon carbide crystals. USP1998055746827.
  7. Golan, Gady. Method of producing silicon carbide. USP2003046554897.
  8. Gady Golan IL. Method of producing silicon carbide: heating and lighting elements. USP2002126497829.
  9. Mueller, Stephan. Methods of fabricating silicon carbide crystals. USP2004036706114.
  10. Mueller,Stephan. Methods of fabricating silicon carbide crystals. USP2009037501022.
  11. Mueller,Stephan. Methods of fabricating silicon carbide crystals. USP2006117135072.
  12. Sakaguchi,Yasuyuki; Takagi,Atsushi; Oyanagi,Naoki. Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same. USP2008057371281.

IPC 상위 출원인