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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0730590 (1991-07-15) |
우선권정보 | DE-3920134 (1989-06-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 0 |
Single crystals of silicon carbide (SiC) can be manufactured by subliming and partially decomposing a base material of crystalline silicon carbide powder and by growing the single crystals from seed crystals. According to the present invention, an excess of silicon is added to the silicon carbide ba
A method for the growth of single-crystal silicon carbide in a reaction vessel having a protective atmosphere and a small temperature gradient in the direction of growth, comprising: adding excess silicon to a crystalline silicon carbide powder; subliming and partially decomposing the crystalline si
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