[특허]Raw batches for ceramic substrates, substrates produced from the raw batches, and production process of the substrates

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C03C-003/091 C03C-014/00
출원번호	US-0899938 (1992-06-17)
우선권정보	JP-0152608 (1990-06-13); JP-0326073 (1990-11-29)
발명자 / 주소	Omata Takahisa (Ayase JPX) Yanagimachi Masaru (Tochigi JPX) Matsuuchi Tosio (Tochigi JPX) Koyanagi Yoshinori (Tochigi JPX)
출원인 / 주소	Mitsui Mining Company, Limited (Tokyo JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 0

초록 ▼

This invention is concerned with ceramic substrates for multilayer interconnection. This invention is also concerned with a raw batch for ceramic substrates which require a calcining temperature as low as 1,000° C. or lower upon their production, are low in dielectric constant and have a coefficient of thermal expansion close to that of silicon and also with a process for the production of the substrates. This invention makes use of a raw batch which permits the use of a low resistance conductor such as Ag-Pd, Ag, Au or Cu and also the production of substrates by low-temperature calcination. The raw batch contains borosilicate silicate glass powder, and aluminum borate powder and at a weight ratio of 40-80 percent to 20-60 percent. The raw batch can additionally contain one or more specific oxides in particular proportions.

대표청구항 ▼

A raw batch for ceramic substrates, comprising, as a mixture: 40 to 80 weight percent of borosilicate glass powder, wherein borosilicate glass powder comprises, by weight, (a) 65 to 85 percent of silicon dioxide (SiO2), (b) 5 to 25 percent of boric anhydride (B2O3), (c) 0.1 to 7 percent of at least one component selected from the group consisting of lithium oxide (Li2O), sodium oxide (Na2O) and potassium oxide (K2O), (d) 0.1 to 5 percent of at least one component selected from the group consisting of magnesium oxide (MgO) and calcium oxide (CaO), and (e) 0.1 to 5 percent of alumina (Al2O3); 20 to 60 weight percent of aluminum borate powder which is in the form of fine powder ground to not greater than 3 m10 weight percent of the oxide compound.

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