[특허]Apparatus and method for in-situ deep ultraviolet photon-assisted semiconductor wafer processing

Apparatus and method for in-situ deep ultraviolet photon-assisted semiconductor wafer processing 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/00
출원번호	US-0625186 (1990-12-10)
발명자 / 주소	Moslehi Mehrdad M. (Dallas TX) Paranjpe Ajit P. (Dallas TX) Davis Cecil J. (Greenville TX)
출원인 / 주소	Texas Instruments Incorporated (Dallas TX 02)
인용정보	피인용 횟수 : 29 인용 특허 : 0

초록 ▼

An in-situ deep-ultraviolet light generation module (126) for photon-assisted processing of semiconductor wafers (44) comprises a process environment space (152) for photochemical processing applications. Process gas injection space (182) receives reactive process gases and injects them into process environment space (152). Plasma fill space (124) receives a plasma (120) and may direct plasma (120) away from or into the process environment space (152) according to the presence or absence of control gas (160) flow. Control gas space (174) and flow/pressure switch space (154) receive control gas (160) to selectively permit deep-ultraviolet photons or plasma to reach process environment space (152) and interact with wafer (44) for photo-enhanced or plasma-enhanced wafer processing.

대표청구항 ▼

An apparatus for in-situ photon-assisted semiconductor device processing in a plasma processing reactor, comprising: a module for placement in the wafer processing reactor, said module comprising photon-transmissive material, and a plasma fill space for receiving a photon-producing plasma; and a flow/pressure switch space associated with said plasma fill space for selective guidance of said process plasma or said plasma-generated photon towards the semiconductor wafer.

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