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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0779498 (1991-10-24) |
우선권정보 | JP-0300343 (1990-11-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 136 인용 특허 : 0 |
First, a low-concentration impurity layer is formed by obliquely implanting an n-type impurity at a prescribed angle with respect to the surface of a p-type semiconductor substrate, using a gate electrode formed on the semiconductor substrate as a mask. Thereafter a sidewall spacer is formed on the
A method of fabricating a semiconductor device comprising the steps of: forming a gate electrode on a first conductivity type semiconductor substrate having a major surface with a gate insulating film therebetween; forming a low-concentration impurity layer by obliquely implanting a second conductiv
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