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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0962282 (1992-10-16) |
우선권정보 | JP-0311348 (1991-10-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 0 |
An apparatus for forming a high purity silicon carbide film on the inner surface of a cylindrical member by a chemical vapor phase deposition process is provided. The member to be coated is received in a reaction vessel and heated by a heating means. The apparatus includes a gas feed conduit having
An apparatus for forming a high purity silicon carbide film on the inner surface of a cylindrical member by a chemical vapor phase deposition process, said apparatus comprising a reaction vessel for receiving the member to be coated, a heating means for heating the member in the reaction vessel, a g
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