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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0841247 (1992-02-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 0 |
A mobile ion getterer is added to metalization layers on an integrated circuit or discrete device to reduce mobile ion contamination therein. Preferably, chromium is used as the mobile ion getterer and is added to an aluminum target used as the metal source for sputtering the chromium and aluminum o
A method for making semiconductor devices, including the steps of forming at least one metal conductor on an integrated circuit, the steps of forming the metal conductor comprising the step of depositing a single, cosputtered layer of metal containing aluminum and a mobile ion getterer of chromium,
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