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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0764954 (1991-09-25) |
우선권정보 | JP-0193158 (1986-08-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 22 인용 특허 : 0 |
The semiconductor device somprises a silicon substrate, a boron-doped high resistant silicon carbide layer formed on said silicon substrate and a silicon carbide layer formed on said high resistant silicon carbide layer.
A structure for a Schottky-barrier gate type FET semiconductor device comprising: a single crystal silicon substrate; a first high resistant single crystal silicon carbide layer being boron-doped and disposed on said single crystal silicon substrate, said first high resistant single crystal silicon
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