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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0876043 (1992-04-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 59 인용 특허 : 0 |
A process for etching oxide films on the semiconductor, or other substrates, in a sealed photochemical reactor. Anhydrous hydrogen fluoride (AHF) gas, or other halogen containing gases, and alcohol vapor carried by an inert gas, such as nitrogen, are passed over the oxides to be etched. The UV radia
Process for etching at least one oxide film on the semiconductor or other substrates comprising the steps of: a. placing a substrate in a stand-alone chamber or chamber connected to a cluster tool; b. simultaneously or sequentially passing gaseous anhydrous hydrogen fluoride, or other halogen contai
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