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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0033830 (1993-03-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 59 인용 특허 : 0 |
A semiconductor metallization processing method for multi-level electrical interconnection includes: a) providing a base insulating layer atop a semiconductor wafer; b) etching a groove pathway into the base layer; c) providing a first contact through the base layer to the area to which electrical c
A semiconductor metallization processing method for multi-level electrical interconnection, the method comprising the following steps: providing a first layer of insulating material atop a semiconductor wafer over an area to which electrical connection is to be made; providing a second layer of insu
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