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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0809122 (1991-12-18) |
우선권정보 | JP-0403943 (1990-12-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 0 |
A vertically oriented CVD apparatus comprises a reaction chamber, a boat means vertically placed in the reaction chamber to horizontally support a plurality of semiconductor substrates, and a gas inlet tube including a plurality of gas injection holes along a longitudinal axis thereof and extending
A vertically oriented CVD apparatus for depositing a silicon nitride film on a plurality of semiconductor wafers comprising: a reaction chamber including an inner tube having an opened distal end and an outer tube having an exhaust port at a lower portion thereof and covering the inner tube; a boat
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