[특허]Wide band-gap semiconductors having low bipolar resistivity and method of formation

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Wide band-gap semiconductors having low bipolar resistivity and method of formation 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/265
출원번호	US-0232405 (1988-08-15)
발명자 / 주소	Rothschild G. F. Neumark (153 Old Colony Rd. Hartsdale NY 10530)
인용정보	피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 0

초록 ▼

A wide band-gap semiconductor, such as a II-VI semiconductor having low bipolar resistivity and a method for producing such a semiconductor. To form this semiconductor, atomic hydrogen is used to neutralize compensating contaminants. Alternatively, the semiconductor dopant and hydrogen are introduced into the undoped semiconductor together, and later, the hydrogen is removed leaving an acceptably compensation free wide band-gap semiconductor.

대표청구항 ▼

A method of forming a p-n junction from a wide band-gap semiconductor, comprising forming an n-type side and a p-type side of a semiconductor by doping the n-type side to form an n-type semiconductor and doping the p-type side to form a p-type semiconductor, then introducing at least a sufficient quantity of atomic hydrogen into at least one side of the doped semiconductor to neutralize a portion of the compensators of at least that side to reduce the resistivity of at least that side to yield a wide band-gap semiconductor having reduced resistivity on at least that side.

이 특허를 인용한 특허 (19)

Hirao Takashi,JPX ; Yoshida Akihisa,JPX ; Kitagawa Masatoshi,JPX, Apparatus and method of manufacturing semiconductor element.
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Oh,Steve Tchang Hun; Choi,Hong K.; Tsaur,Bor Yeu; Fan,John C. C., Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device.
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Oh,Tchang Hun; Choi,Hong K.; Fan,John C. C.; Narayan,Jagdish, Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting devices.
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Narayan, Jagdish, Domain epitaxy for thin film growth.
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Narayan, Jagdish; Ye, Jinlin; Hon, Schang-Jing; Fox, Ken; Chen, Jyh Chia; Choi, Hong K.; Fan, John C. C., Efficient light emitting diodes and lasers.
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Stockman, Stephen A., Forming semiconductor structures including activated acceptors in buried p-type III-V layers.
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Chang, Chun-Yen; Yang, Tsung Hsi, Light emitter device.
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Fan, John C. C.; Choi, Hong K.; Oh, Tchang-Hun; Chen, Jyh Chia; Narayan, Jagdish, Light-emitting diode device geometry.
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Nakamura, Shuji; Mukai, Takashi; Tanizawa, Koji; Mitani, Tomotsugu; Marui, Hiroshi, Nitride semiconductor device.
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Nakamura,Shuji; Mukai,Takashi; Tanizawa,Koji; Mitani,Tomotsugu; Marui,Hiroshi, Nitride semiconductor device.
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Nagahama, Shinichi; Nakamura, Shuji, Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof.
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Shakuda, Yukio, Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor.
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Seely, William F.; Thatcher, Jonathan C.; Backman, Steve W., System and method for measuring a level of a liquid in a container.
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특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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