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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0651070 (1991-02-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 30 인용 특허 : 0 |
A wordline driver circuit for reading the contents of a Dynamic Random Access Memory (DRAM). The circuit is implemented in CMOS and is capable of pulling the wordlines to a negative potential with respect to the substrate, thereby decreasing the access time. An NMOS pull-down transistor channel is i
A wordline driver for a CMOS dynamic random access memory comprising: a PMOS transistor having a source connected to a positive terminal of a voltage source serially connected with an NMOS transistor, said PMOS and NMOS transistor having a common gate connection for receiving a decoder logic signal,
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