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Photovoltaic device including a boron doping profile in an i-type layer 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-027/14
  • H01L-031/00
출원번호 US-0733172 (1991-07-19)
발명자 / 주소
  • Yang Liyou (Lawrenceville NJ)
출원인 / 주소
  • Solarex Corporation (Rockville MD 02)
인용정보 피인용 횟수 : 22  인용 특허 : 0

초록

A photovoltaic cell for use in a single junction or multijunction photovoltaic device, which includes a p-type layer of a semiconductor compound including silicon, an i-type layer of an amorphous semiconductor compound including silicon, and an n-type layer of a semiconductor compound including sili

대표청구항

A photovoltaic cell, comprising: a p-type layer of a semiconductor compound including silicon an i-type layer of a single amorphous semiconductor compound including silicon, said i-type layer including an undoped first sublayer formed on said p-type layer, a doped second sublayer doped with a p-type

이 특허를 인용한 특허 (22)

  1. Rohatgi, Ajeet; Kim, Dong Seop; Nakayashiki, Kenta; Rounsaville, Brian, Boron diffusion in silicon devices.
  2. Vladimir F. Drobny ; Kevin Bao, Complementary bipolar/CMOS epitaxial structure and method.
  3. Drobny Vladimir F. ; Bao Kevin X., Complementary bipolar/CMOS epitaxial structure and process.
  4. Korevaar, Bastiaan Arie; Johnson, James Neil; Tolliver, Todd Ryan; Kreutz, Theodore Carlton; Zhang, Xiaolan, Compositionally-graded and structurally-graded photovoltaic devices and methods of fabricating such devices.
  5. Yao,Jie, Doped absorption for enhanced responsivity for high speed photodiodes.
  6. Drobny Vladimir F. ; Bao Kevin X., Epitaxial cleaning process using HCL and N-type dopant gas to reduce defect density and auto doping effects.
  7. Sheng, Shuran; Chae, Yong Kee; Klein, Stefan; Al-Bayati, Amir; Kumar, Bhaskar, High quality TCO-silicon interface contact structure for high efficiency thin film silicon solar cells.
  8. Kroll,Ulrich; Bucher,Cedric; Schmitt,Jacques; Poppeller,Markus; Hollenstein,Christoph; Ballutaud,Juliette; Howling,Alan, Method for producing semi-conducting devices and devices obtained with this method.
  9. Kroll,Ulrich; Bucher,C��dric; Schmitt,Jacques; Poppeller,Markus; Hollenstein,Christoph; Ballutaud,Juliette; Howling,Alan, Method for producing semi-conducting devices and devices obtained with this method.
  10. Choi, Soo Young; Takehara, Takako; White, John M.; Chae, Yong Kee, Methods and apparatus for depositing a microcrystalline silicon film for photovoltaic device.
  11. Choi, Soo Young; Takehara, Takako; White, John M.; Chae, Yong Kee, Methods and apparatus for depositing a microcrystalline silicon film for photovoltaic device.
  12. Arya Rajeewa R., Monolithic multi-junction solar cells with amorphous silicon and CIS and their alloys.
  13. Choi, Soo Young; Chae, Yong Kee; Sheng, Shuran, Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same.
  14. Sheng, Shuran; Chae, Yong Kee; Choi, Soo Young; Won, Tae Kyung; Li, Liwei, Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same.
  15. Garvison Paul ; Warfield Donald B., Photovoltaic module framing system with integral electrical raceways.
  16. Choi, Soo Young; Chae, Yong-Kee; Sheng, Shuran; Li, Liwei, Plasma treatment between deposition processes.
  17. Cunningham John Edward ; Goossen Keith Wayne ; Jan William Young ; Williams Michael D., Process of making an optoelectronic devices utilizing multiple quantum well pin structures.
  18. Jansen Kai W. ; Maley Nagi, Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts.
  19. Chen, Tze-Chiang; Hong, Augustin J.; Huang, Chien-Chih; Huang, Yu-Wei; Kim, Jeehwan; Sadana, Devendra K.; Tseng, Chih-Fu, Solar cell made using a barrier layer between P-type and intrinsic layers.
  20. Choi, Soo Young; Li, Liwei, Solar cells and methods and apparatuses for forming the same including I-layer and N-layer chamber cleaning.
  21. Fujita, Ichiro; Fujiwara, Hirokazu, Susceptor.
  22. Hayashi, Hiroshi; Kawashima, Takahiro; Kawachi, Genshirou, Thin-film transistor, method for fabricating thin-film transistor, and display device.
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