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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0851400 (1992-03-13) |
우선권정보 | JP-0048037 (1991-03-13); JP-0097321 (1991-04-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 90 인용 특허 : 0 |
A charged particle beam exposure system is directed to an exposure process of an electron beam for sequentially scanning an electron beam employing a blanking aperture array including a plurality of blanking apertures. The system facilitates re-focusing for compensation of focus error due to Coulumb
A charged particle beam exposure system comprising: a charged particle beam generating means for generating a charged particle beam; a blanking aperture array means for shaping said charged particle beam generated by said charged particle beam generating means and having a plurality of blanking aper
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