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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0796242 (1991-11-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 203 인용 특허 : 0 |
Nanocrystals of semiconductor compounds are produced. When they are applied as a contiguous layer onto a substrate and heated they fuse into a continuous layer at temperatures as much as 250, 500, 750 or even 1000°K below their bulk melting point. This allows continuous semiconductor films in the 0.
A process for forming a solid continuous thin film of a semiconductor material on a solid support surface comprising the steps of (a) depositing on the solid support surface a thin contiguous layer of nanocrystals of the semiconductor material, (b) exposing the nanocrystals to a temperature which is
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