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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0911851 (1992-07-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 86 인용 특허 : 0 |
A contact structure is formed atop a semiconductor wafer at a level whereat it is desired to terminate polishing of a layer overlying the contact structure. When the contact structure becomes exposed to a polishing slurry, an electrical characteristic, such as resistance or impedance, is registered
A method of detecting an endpoint of polishing in a process of polishing overlying layers atop a surface of a semiconductor wafer, comprising: forming a contact structure on a semiconductor wafer at a selected level atop a top surface of the semiconductor wafer, the level being selected as a level w
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