[특허]Laser-assisted CVD process forming oxide superconducting films

Laser-assisted CVD process forming oxide superconducting films 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B05D-003/06 C23C-016/00
출원번호	US-0833509 (1992-02-11)
우선권정보	JP-0041326 (1991-02-12)
발명자 / 주소	Ushida Takahisa (Aichi JPX) Higashiyama Kazutoshi (Aichi JPX) Hirabayashi Izumi (Aichi JPX) Tanaka Shoji (Aichi JPX)
출원인 / 주소	NGK Spark Plug Co., Ltd. (Aichi JPX 03) International Superconductivity Technology Center (Tokyo JPX 03) Hitachi Ltd. (Tokyo JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 0

초록 ▼

A method is disclosed of forming an oxide superconducting film comprising the steps of (1) mixing (a) the vapors of organic metal materials in such proportions as to provide a predetermined metal composition, or (b) said organic metal materials in such proportions as to provide a predetermined metal composition vaporizing and mixture, and (2) bringing the mixture into contact with a heated substrate so that an oxide superconducting film is formed on said substrate by a chemical vapor deposition process, wherein laser light is applied onto said substrate during formation of said oxide superconducting film on said substrate, whereby the crystallographic orientation of said oxide superconducting film being formed in the irradiated area of said substrate is such that the c-axis is parallel to the substrate.

대표청구항 ▼

A method of forming an oxide superconducting film comprising the steps of (1)(a) mixing the vapors of organic metal source materials to form a source gas in such proportions as to provide a metal composition for forming an oxide superconductor or (b) mixing said organic metal materials in such proportions as to provide a metal composition for forming an oxide superconductor and then vaporizing the source material to form a source gas, and (2) bringing said source gas into contact with a heated substrate so that the oxide superconducting film is formed on said substrate by a chemical vapor deposition process, wherein a laser light is irradiated onto said substrate during the formation of said oxide superconducting film on said substrate to form at least one irradiated area of said substrate, whereby the crystallographic orientation of said oxide superconducting film being formed in the at least one irradiated area of said substrate is such that the c-axis is parallel to the substrate.

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A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
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