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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0818440 (1991-12-27) |
우선권정보 | JP-0202846 (1989-08-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 0 |
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A method of forming a monocrystal silicon semiconductor film, comprising the steps of: depositing on a glass substrate having a depression, a first material comprised of an amorphous silicon nitride with a higher nucleation density and a smaller mechanical abrasion rate to an abrasive grain to form
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