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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0796308 (1991-11-22) |
우선권정보 | JP-0331986 (1990-11-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 0 |
A process for selectively removing a silicon nitride film from a silicon layer surface having both a silicon oxide film thereon, and a silicon nitride film, includes the steps of: preparing a gas including at least hydrogen fluoride vapor, and supplying the gas to the silicon layer surface while mai
A process of selectively removing a silicon nitride film from a silicon layer surface on which both a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed, said process comprising the steps of: preparing a gas including at least hydrogen fluoride vapor and an predetermined oxidizing agent in gas
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